- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFT27S010NT1 | AFT27S010N - AIRFAST RF POWER LD | NXP Semiconductors | PLD-1.5W | 1.26W | 728MHz ~ 3.6GHz | 65V | 10µA | PLD-1.5W | LDMOS | 21.7dB | 28V | 90mA |
| AFT27S010NT1 | FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W | NXP USA Inc. | PLD-1.5W | 1.26W | 2.17GHz | 65V | PLD-1.5W | LDMOS | 21.7dB | 28V | 90mA | |
| MHT1006NT1 | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | NXP USA Inc. | PLD-1.5W | 1.26W | 2.17GHz | 65V | PLD-1.5W | LDMOS | 21.7dB | 28V | 90mA |
- 10
- 15
- 50
- 100