Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 1250W

Найдено: 11
  • FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230-4S
    • Тип корпуса: NI-1230-4S
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    • Package / Case: PL84A1
    • Тип корпуса: PL84A1
    • Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 180V
    • Current - Test: 160mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 16.8dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S-4 GW
    • Тип корпуса: NI-1230S-4 GULL
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS DL 50V OM1230-4L
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: OM-1230-4L
    • Тип корпуса: OM-1230-4L
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 23dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-979A
    • Тип корпуса: NI-1230-4H
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF LDMOS 1250W 50V
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: OM-1230G-4L
    • Тип корпуса: OM-1230G-4L
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 23dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230-4S
    • Тип корпуса: NI-1230-4S
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: SOT-979A
    • Тип корпуса: NI-1230-4H
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1250W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: