• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MMRF1306HR5 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor NI-1230-4H 1250W 230MHz 133V SOT-979A LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA
IGN1011L1200 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc. PL84A1 1250W 1.03GHz ~ 1.09GHz 180V PL84A1 HEMT 16.8dB 50V 160mA
MRFE6VP61K25HR6 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230 1250W 230MHz 133V NI-1230 LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA
MRFE6VP61K25HSR6 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S NXP USA Inc. NI-1230S 1250W 230MHz 133V NI-1230S LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA
MRFE6VP61K25GSR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230GS NXP USA Inc. NI-1230S-4 GULL 1250W 230MHz 133V NI-1230S-4 GW LDMOS 24dB 50V 100mA
MRFE6VP61K25NR6 RF MOSFET LDMOS DL 50V OM1230-4L NXP USA Inc. OM-1230-4L 1250W 230MHz 133V OM-1230-4L LDMOS (Dual) 23dB 50V 100mA
MMRF1306HR5 RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230-4H 1250W 230MHz 133V SOT-979A LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA
MRFE6VP61K25GNR6 TRANS RF LDMOS 1250W 50V NXP USA Inc. OM-1230G-4L 1250W 230MHz 133V OM-1230G-4L LDMOS (Dual) 23dB 50V 100mA
MMRF1306HSR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S NXP USA Inc. NI-1230-4S 1250W 230MHz 133V NI-1230-4S LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA
MRFE6VP61K25HR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230 1250W 230MHz 133V NI-1230 LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA
MRFE6VP61K25HSR5 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S NXP USA Inc. NI-1230-4S 1250W 230MHz 133V NI-1230-4S LDMOS (Dual) 24dB 50V 100mA