Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 1180W

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • 275X2-501N16A-00
    RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275
    IXYS-RF
    • Производитель: IXYS-RF
    • Серия: DE
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
    • Тип корпуса: DE275
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Выходная мощность: 1180W
    • Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • Номинальный ток: 16A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 275X2-102N06A-00
    RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275
    IXYS-RF
    • Производитель: IXYS-RF
    • Серия: DE
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
    • Тип корпуса: DE275
    • Номинальное напряжение: 1000V
    • Выходная мощность: 1180W
    • Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • Номинальный ток: 8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100