• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
BLF988,112 RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A Ampleon USA Inc. SOT539A 250W 860MHz 110V SOT-539A LDMOS (Dual), Common Source 20.8dB 50V 1.3A
BLF6G27L-40P,118 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A Ampleon USA Inc. LDMOST 12W 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V SOT-1121A LDMOS (Dual), Common Source 17.5dB 28V 450mA
IPB039N04LGATMA1 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 Infineon Technologies D²PAK (TO-263AB) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 94W (Tc) 40V 80A (Tc) 3.9mOhm @ 80A, 10V 4.5V, 10V 2V @ 45µA 78nC @ 10V 6100pF @ 25V ±20V OptiMOS™
IRF6722MTR1PBF MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET Infineon Technologies DIRECTFET™ MP Surface Mount DirectFET™ Isometric MP MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2.3W (Ta), 42W (Tc) 30V 13A (Ta), 56A (Tc) 7.7mOhm @ 13A, 10V 4.5V, 10V 2.4V @ 50µA 17nC @ 4.5V 1300pF @ 15V ±20V HEXFET®
AUIRLSL3036 MOSFET N-CH 60V 270A TO262 Infineon Technologies TO-262 Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 380W (Tc) 60V 195A (Tc) 2.4mOhm @ 165A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 140nC @ 4.5V 11210pF @ 50V ±16V HEXFET®
IRLL2703TR MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 Infineon Technologies SOT-223 Surface Mount TO-261-4, TO-261AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1W (Ta) 30V 3.9A (Ta) 45mOhm @ 3.9A, 10V 4V, 10V 2.4V @ 250µA 14nC @ 5V 530pF @ 25V ±16V HEXFET®
TAV-541+ RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873 Mini-Circuits FG873 21.1dB 450MHz ~ 6GHz 5V 4-SMD, No Lead E-pHEMT 23.8dB 1.8dB @ 5.8GHz 3V 60mA
BUK7K25-40E,115 MOSFET 2N-CH 40V 27A LFPAK56D Nexperia USA Inc. LFPAK56D 32W Surface Mount SOT-1205, 8-LFPAK56 -55°C ~ 175°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 40V 27A Standard 25mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 7.9nC @ 10V 525pF @ 25V Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
HUF75333P3 MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB onsemi TO-220-3 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 150W (Tc) 55V 66A (Tc) 16mOhm @ 66A, 10V 10V 4V @ 250µA 85nC @ 20V 1300pF @ 25V ±20V UltraFET™
NTHD5902T1 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET onsemi ChipFET™ 1.1W Surface Mount 8-SMD, Flat Lead -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A Logic Level Gate 85mOhm @ 2.9A, 10V 1V @ 250µA 7.5nC @ 10V
NTMYS011N04CTWG FET 40V 35A onsemi 4-LFPAK Surface Mount SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.8W (Ta), 28W (Tc) 40V 13A (Ta), 35A (Tc) 12mOhm @ 10A, 10V 10V 3.5V @ 20µA 7.9nC @ 10V 420pF @ 25V ±20V
HUF76121S3 N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC
FKI06108 MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F Sanken TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) N-Channel 38W (Tc) 60V 39A (Tc) 8.8mOhm @ 28.5A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 650µA 38.6nC @ 10V 2520pF @ 25V ±20V
SI8900EDB-T2-E1 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP Vishay Siliconix 10-Micro Foot™ CSP (2x5) 1W Surface Mount 10-UFBGA, CSPBGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A Logic Level Gate 1V @ 1.1mA TrenchFET®
PXFE211507FC-V1-R0 150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH Wolfspeed, Inc. H-37248G-4/2 170W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA H-37248G-4/2 LDMOS 18dB 28V 900mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.