• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
IPP50R299CPHKSA1 MOSFET N-CH 550V TO220-3 Infineon Technologies PG-TO220-3-1 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 104W (Tc) 550V 12A (Tc) 299mOhm @ 6.6A, 10V 10V 3.5V @ 440µA 31nC @ 10V 1190pF @ 100V ±20V CoolMOS™
IXTP3N100P MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220 IXYS TO-220AB Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 125W (Tc) 1000V 3A (Tc) 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 39nC @ 10V 1100pF @ 25V ±20V PolarVHV™
BUK953R2-40E,127 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB NXP USA Inc. TO-220AB Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 234W (Tc) 40V 100A (Tc) 2.8mOhm @ 25A, 10V 5V, 10V 2.1V @ 1mA 69.5nC @ 5V 9150pF @ 25V ±10V TrenchMOS™
NTD4858NA-1G MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK onsemi I-PAK Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 25V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 6.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 19.2nC @ 4.5V 1563pF @ 12V
NVMFS5C460NLT3G MOSFET N-CH 40V SO8FL onsemi 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Surface Mount 8-PowerTDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.6W (Ta), 50W (Tc) 40V 4.5mOhm @ 35A, 10V 4.5V, 10V 2V @ 250µA 23nC @ 10V 1300pF @ 25V ±20V
FDS4070N3 MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC onsemi 8-SO Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 3W (Ta) 40V 15.3A (Ta) 7.5mOhm @ 15.3A, 10V 10V 5V @ 250µA 67nC @ 10V 2819pF @ 20V ±20V PowerTrench®
HAT2173HWS-E MOSFET N-CH LFPAK-5 Renesas Electronics America 5-LFPAK Surface Mount SC-100, SOT-669 MOSFET (Metal Oxide) 150°C N-Channel 30W (Tc) 100V 25A (Ta) 15mOhm @ 12.5A, 10V 8V, 10V 6V @ 20mA 61nC @ 10V 4350pF @ 10V ±20V
BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R6-30E - POWER, I2PAK Rochester Electronics, LLC I2PAK Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 349W (Tc) 30V 120A (Tc) 1.6mOhm @ 25A, 10V 10V 4V @ 1mA 154nC @ 10V 11.96pF @ 25V ±20V TrenchMOS™
NTD24N06L-1G N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC I-PAK Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) 60V 24A (Ta) 45mOhm @ 10A, 5V 5V 2V @ 250µA 32nC @ 5V 1.14pF @ 25V ±15V
STL180N6F7 N-CHANNEL 60 V, 1.9 MOHM TYP., 1 STMicroelectronics PowerFlat™ (5x6) Surface Mount 8-PowerVDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 4.8W (Ta), 166W (Tc) 60V 32A (Ta), 120A (Tc) 2.4mOhm @ 16A, 10V 10V 4V @ 250µA 79.5nC @ 10V 4825pF @ 25V ±20V STripFET™ F7
XP162A11C0PR-G MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89 Torex Semiconductor Ltd SOT-89 Surface Mount TO-243AA MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) P-Channel 2W (Ta) 30V 2.5A (Ta) 150mOhm @ 1.5A, 10V 4.5V, 10V 280pF @ 10V ±20V
TK22E10N1,S1X MOSFET N CH 100V 52A TO220 Toshiba Semiconductor and Storage TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) N-Channel 72W (Tc) 100V 52A (Tc) 13.8mOhm @ 11A, 10V 10V 4V @ 300µA 28nC @ 10V 1800pF @ 50V ±20V U-MOSVIII-H
SSM6J503NU,LF MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A Toshiba Semiconductor and Storage 6-UDFNB (2x2) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) P-Channel 1W (Ta) 20V 6A (Ta) 32.4mOhm @ 3A, 4.5V 1.5V, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 10V 840pF @ 10V ±8V U-MOSVI
SI4128DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC Vishay Siliconix 8-SO Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2.4W (Ta), 5W (Tc) 30V 10.9A (Ta) 24mOhm @ 7.8A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V 435pF @ 15V ±20V TrenchFET®
PXAC261212FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Wolfspeed, Inc. H-37248-4 28W 2.69GHz 65V H-37248-4 LDMOS 15dB 28V 280mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.