• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
AO4455 MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-SOIC Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 3.1W (Ta) 30V 6.2mOhm @ 15A, 20V 6V, 20V 2.6V @ 250µA 76nC @ 10V 3400pF @ 15V ±25V
NE4210S01-T1B HJ-FET 13DB S01 CEL SMD 12GHz 4V 15mA 4-SMD HFET 13dB 0.5dB 2V 10mA
BSS8402DW-7-F MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 Diodes Incorporated SOT-363 200mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA Logic Level Gate 7.5Ohm @ 50mA, 5V 2.5V @ 250µA 50pF @ 25V
SPP42N03S2L-13 MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB Infineon Technologies PG-TO220-3-1 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 83W (Tc) 30V 42A (Tc) 12.9mOhm @ 21A, 10V 4.5V, 10V 2V @ 37µA 30.5nC @ 10V 1130pF @ 25V ±20V OptiMOS™
MSC015SMA070S GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA Microchip Technology D3Pak Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 700V 166A
PMDPB70XPE,115 MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Nexperia USA Inc. 6-HUSON-EP (2x2) 515mW Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 20V 3A Logic Level Gate 79mOhm @ 2A, 4.5V 1.25V @ 250µA 7.5nC @ 4.5V 600pF @ 10V
FQB5N80TM MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK onsemi D²PAK (TO-263AB) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 3.13W (Ta), 140W (Tc) 800V 4.8A (Tc) 2.6Ohm @ 2.4A, 10V 10V 5V @ 250µA 33nC @ 10V 1250pF @ 25V ±30V QFET®
NTD14N03RT4G MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK onsemi DPAK Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) 25V 2.5A (Ta) 95mOhm @ 5A, 10V 4.5V, 10V 2V @ 250µA 1.8nC @ 5V 115pF @ 20V ±20V
FDN5618P MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 onsemi SuperSOT-3 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 500mW (Ta) 60V 1.25A (Ta) 170mOhm @ 1.25A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 13.8nC @ 10V 430pF @ 30V ±20V PowerTrench®
NTMFD6H852NLT1G MOSFET N-CH 80V 8DFN onsemi 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 250mW (Ta) Surface Mount 8-PowerTDFN -55°C ~ 175°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 80V 295mA 1.6Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 5nC @ 4.5V 26pF @ 20V
HUFA76419D3ST MOSFET N-CH 60V 20A DPAK onsemi TO-252AA Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 75W (Tc) 60V 20A (Tc) 37mOhm @ 20A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 27.5nC @ 10V 900pF @ 25V ±16V UltraFET™
N0602N-S19-AY MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 Renesas Electronics America TO-220-3 Through Hole TO-220-3 Isolated Tab MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) N-Channel 1.5W (Ta), 156W (Tc) 60V 100A (Ta) 4.6mOhm @ 50A, 10V 10V 133nC @ 10V 7730pF @ 25V ±20V
2SK3287ANTL-E N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC
TSM4ND65CI 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M Taiwan Semiconductor Corporation ITO-220 Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 41.6W (Tc) 650V 4A (Tc) 2.6Ohm @ 1.2A, 10V 10V 3.8V @ 250µA 16.8nC @ 10V 596pF @ 50V ±30V
SI7145DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix PowerPAK® SO-8 Surface Mount PowerPAK® SO-8 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 6.25W (Ta), 104W (Tc) 30V 60A (Tc) 2.6mOhm @ 25A, 10V 4.5V, 10V 2.3V @ 250µA 413nC @ 10V 15660pF @ 15V ±20V TrenchFET®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Максимально допустимый длительный среднеквадратичный ток через компонент, при котором температура не выходит за установленный предел, компонент сохраняет работоспособность и его электрические характеристики остаются в номинальных границах.