• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
FDS8928A POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Fairchild Semiconductor 8-SOIC 900mW Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 30V, 20V 5.5A, 4A Logic Level Gate 30mOhm @ 5.5A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V 900pF @ 10V
IRLZ44NLPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO-262 Infineon Technologies TO-262 Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.8W (Ta), 110W (Tc) 55V 47A (Tc) 22mOhm @ 25A, 10V 4V, 10V 2V @ 250µA 48nC @ 5V 1700pF @ 25V ±16V HEXFET®
IPA075N15N3GXKSA1 MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 Infineon Technologies PG-TO220-3 Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 39W (Tc) 150V 43A (Tc) 7.5mOhm @ 43A, 10V 8V, 10V 4V @ 270µA 93nC @ 10V 7280pF @ 75V ±20V OptiMOS™
IRFS7730TRLPBF MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Infineon Technologies D²PAK (TO-263AB) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 375W (Tc) 75V 195A (Tc) 2.6mOhm @ 100A, 10V 6V, 10V 3.7V @ 250µA 407nC @ 10V 13660pF @ 25V ±20V HEXFET®, StrongIRFET™
BSC031N06NS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 Infineon Technologies PG-TDSON-8-1 Surface Mount 8-PowerTDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2.5W (Ta), 139W (Tc) 60V 100A (Tc) 3.1mOhm @ 50A, 10V 10V 4V @ 93µA 130nC @ 10V 11000pF @ 30V ±20V OptiMOS™
IXFP72N20X3 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 320W (Tc) 200V 72A (Tc) 20mOhm @ 36A, 10V 10V 4.5V @ 1.5mA 55nC @ 10V 3780pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXFH74N20P MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 IXYS TO-247AD (IXFH) Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 480W (Tc) 200V 74A (Tc) 34mOhm @ 37A, 10V 10V 5V @ 4mA 107nC @ 10V 3300pF @ 25V ±20V PolarHT™ HiPerFET™
CPC3730C MOSFET N-CH 350V SOT89 IXYS Integrated Circuits Division SOT-89 Surface Mount TO-243AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 125°C (TJ) N-Channel 1.6W (Ta) 350V Depletion Mode 35Ohm @ 140mA, 0V 0V 200pF @ 25V ±20V
NVMFS6H848NT1G MOSFET N-CH 80V 6DFN onsemi 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.7W (Ta), 73W (Tc) 80V 13A (Ta), 57A (Tc) 9.4mOhm @ 10A, 10V 10V 4V @ 70µA 16nC @ 10V 1180pF @ 40V ±20V Automotive, AEC-Q101
NE4210S01-T1B SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC SMD 12GHz 4V 15mA 4-SMD HFET 13dB 0.5dB 2V 10mA
STL140N6F7 MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT STMicroelectronics PowerFlat™ (5x6) Surface Mount 8-PowerVDFN MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) N-Channel 4.8W (Ta), 125W (Tc) 60V 145A (Tc) 2.5mOhm @ 16A, 10V 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V 2700pF @ 25V ±20V DeepGATE™, STripFET™ VII
STP120NH03L MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 STMicroelectronics TO-220AB Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 110W (Tc) 30V 60A (Tc) 5.5mOhm @ 30A, 10V 5V, 10V 3V @ 250µA 77nC @ 10V 4100pF @ 25V ±20V STripFET™
SIRA18DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8 Vishay Siliconix PowerPAK® SO-8 Surface Mount PowerPAK® SO-8 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 14.7W (Tc) 30V 33A (Tc) 7.5mOhm @ 10A, 10V 4.5V, 10V 2.4V @ 250µA 21.5nC @ 10V 1000pF @ 15V +20V, -16V TrenchFET®
SI4532ADY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC Vishay Siliconix 8-SOIC 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 30V 3.7A, 3A Logic Level Gate 53mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 16nC @ 10V TrenchFET®
SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Vishay Siliconix 1206-8 ChipFET™ 3.1W Surface Mount 8-SMD, Flat Lead -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 20V 4A, 3.7A Logic Level Gate 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.2nC @ 5V 285pF @ 10V TrenchFET®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.