Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 10-PolarPAK® (L)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 25
  • SIE806DF-T1-E3
    MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE808DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE808DF-T1-E3
    MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE882DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE812DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8300pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE806DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13000pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE854DF-T1-E3
    MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 13.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE816DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 19.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE726DF-T1-E3
    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: SkyFET®, TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE818DF-T1-E3
    MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 38V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE848DF-T1-E3
    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE818DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 38V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE848DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE854DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 13.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIE868DF-T1-GE3
    MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип корпуса: 10-PolarPAK® (L)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100