Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 14-DIP

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
  • VQ1006P-E3
    MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 90V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VQ1001P-E3
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 830mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VQ1006P-2
    MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 90V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VQ1001P
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 830mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VQ1001P-2
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 830mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VQ2001P-2
    MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 600mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VQ1006P
    MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип корпуса: 14-DIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 90V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100