• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
VQ1006P-E3 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel 90V 400mA Logic Level Gate 4.5Ohm @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA 60pF @ 25V
VQ1001P-E3 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel 30V 830mA Logic Level Gate 1.75Ohm @ 200mA, 5V 2.5V @ 1mA 110pF @ 15V
VQ1006P-2 MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel 90V 400mA Logic Level Gate 4.5Ohm @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA 60pF @ 25V
VQ1001P MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel 30V 830mA Logic Level Gate 1.75Ohm @ 200mA, 5V 2.5V @ 1mA 110pF @ 15V
VQ1001P-2 MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel 30V 830mA Logic Level Gate 1.75Ohm @ 200mA, 5V 2.5V @ 1mA 110pF @ 15V
VQ2001P-2 MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole 14-DIP -55°C ~ 150°C (TJ) 4 P-Channel 30V 600mA Standard 2Ohm @ 1A, 12V 4.5V @ 1mA 150pF @ 15V
VQ1006P MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP Vishay Siliconix 14-DIP 2W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) 4 N-Channel 90V 400mA Logic Level Gate 4.5Ohm @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA 60pF @ 25V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100