Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 12-HVSON (6x4)

Найдено: 4
  • RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x4)
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 110mA
    • Выходная мощность: 2W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x4)
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 55mA
    • Выходная мощность: 1W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x4)
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 110mA
    • Выходная мощность: 2W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x4)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 15mA
    • Выходная мощность: 2.5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.8dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: