Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 12-DSBGA

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • CSD75211W1723
    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Серия: NexFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
    • Тип корпуса: 12-DSBGA
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CSD75211W1723
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: NexFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
    • Тип корпуса: 12-DSBGA
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CSD86311W1723
    MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
    Texas Instruments
    • Производитель: Texas Instruments
    • Серия: NexFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
    • Тип корпуса: 12-DSBGA
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100