• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Серия
CSD75211W1723 P-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC 12-DSBGA 1.5W Surface Mount 12-UFBGA, DSBGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A Logic Level Gate 40mOhm @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 5.9nC @ 4.5V 600pF @ 10V NexFET™
CSD86311W1723 MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA Texas Instruments 12-DSBGA 1.5W Surface Mount 12-UFBGA, DSBGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A Logic Level Gate 39mOhm @ 2A, 8V 1.4V @ 250µA 4nC @ 4.5V 585pF @ 12.5V NexFET™
CSD75211W1723 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA Texas Instruments 12-DSBGA 1.5W Surface Mount 12-UFBGA, DSBGA -55°C ~ 150°C (TJ) 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A Logic Level Gate 40mOhm @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 5.9nC @ 4.5V 600pF @ 10V NexFET™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100