Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 12-WQFN (3.3x3.3)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
  • NTTFD4D0N04HLTWG
    MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTTFD9D0N06HLTWG
    MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTTFD018N08LC
    80V LL DUAL N-CH MOSFET
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 44µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 40V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTTFD021N08C
    80V DUAL N-CH MOSFET
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 44µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTTFD4D1N03P1E
    FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1W (Ta), 20W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTTFD022N10C
    100V DUAL N-CH MOSFET
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 44µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NTTFD2D8N03P1E
    MOSFET N-CH 30V 12WQFN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWQFN
    • Тип корпуса: 12-WQFN (3.3x3.3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 400µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100