Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 12-DFN-EP (4x3)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • AONL32328
    30V COMPLEMENTARY MOSFET
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 12-PowerWDFN
    • Тип корпуса: 12-DFN-EP (4x3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N and 2 P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 730pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.6W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100