Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 12-DFN (4x3)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 0Hz ~ 15GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 29W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 11.6dBm
- Voltage - Test: 40V
- Номинальный ток: 2A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 60mA
- Выходная мощность: 15W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 60mA
- Выходная мощность: 15W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 30W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 18.3dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 30W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 18.3dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 30W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 21.1dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 60mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 40V
- Номинальный ток: 950mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 130mA
- Выходная мощность: 30W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 20.4dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 130mA
- Выходная мощность: 30W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 20.4dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 60mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 40V
- Номинальный ток: 950mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 12-DFN (4x3)
- Частота: 0Hz ~ 15GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 29W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 11.6dBm
- Voltage - Test: 40V
- Номинальный ток: 2A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100