• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN Cree/Wolfspeed 12-DFN (4x3) 30W 6GHz 125V 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 20.4dB 50V 130mA GaN
CGHV1F025S RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Cree/Wolfspeed 12-DFN (4x3) 29W 0Hz ~ 15GHz 100V 2A 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 11.6dBm 40V 150mA GaN
CGH27030S RF MOSFET HEMT 28V 12DFN Wolfspeed, Inc. 12-DFN (4x3) 30W 6GHz 84V 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 18.3dB 28V 200mA GaN
CGH27030S-AMP1 AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S Wolfspeed, Inc. 12-DFN (4x3) 30W 6GHz 120V 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 21.1dB 28V 200mA GaN
CGHV1F025S RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Wolfspeed, Inc. 12-DFN (4x3) 29W 0Hz ~ 15GHz 100V 2A 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 11.6dBm 40V 150mA GaN
CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN Wolfspeed, Inc. 12-DFN (4x3) 30W 6GHz 125V 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 20.4dB 50V 130mA GaN
CGHV1F006S RF MOSFET HEMT 40V 12DFN Wolfspeed, Inc. 12-DFN (4x3) 8W 6GHz 100V 950mA 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 16dB 40V 60mA GaN
CGHV27015S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN Wolfspeed, Inc. 12-DFN (4x3) 15W 6GHz 125V 12-VFDFN Exposed Pad HEMT 21dB 50V 60mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100