Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 10-SMD
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C
- Package / Case: 10-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 10-SMD
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 1.64mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5250pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 3.8W (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C
- Package / Case: 10-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 10-SMD
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3570pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 3.5W (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100