Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 15-SIP
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 15-SIP
- Тип корпуса: 15-SIP
- Тип полевого транзистора: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 15-SIP
- Тип корпуса: 15-SIP
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 4.8W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100