Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 14-PDIP

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • ALD1105PBL
    MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-PDIP
    • Тип полевого транзистора: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1107PBL
    MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-PDIP
    • Тип полевого транзистора: 4 P-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1106PBL
    MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-PDIP
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel, Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ALD1103PBL
    MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
    Advanced Linear Devices Inc.
    • Производитель: Advanced Linear Devices Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 14-PDIP
    • Тип полевого транзистора: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 10.6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40mA, 16mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 10µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100