• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
AOTF4126 MOSFET N-CH 100V 6A TO220F Alpha & Omega Semiconductor Inc. TO-220-3F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.1W (Ta), 42W (Tc) 100V 6A (Ta), 27A (Tc) 24mOhm @ 20A, 10V 7V, 10V 4V @ 250µA 42nC @ 10V 2200pF @ 50V ±25V SDMOS™
IRF7494TR MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC Infineon Technologies 8-SO Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 150V 5.2A (Ta) 44mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 54nC @ 10V 1750pF @ 25V HEXFET®
IRF6720S2TRPBF MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 Infineon Technologies DIRECTFET S1 Surface Mount DirectFET™ Isometric S1 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 1.7W (Ta), 17W (Tc) 30V 11A (Ta), 35A (Tc) 8mOhm @ 11A, 10V 4.5V, 10V 2.35V @ 25µA 12nC @ 4.5V 1140pF @ 15V ±20V HEXFET®
APT56M60B2 MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX Microsemi Corporation TO-247 [B] Through Hole TO-247-3 Variant MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1040W (Tc) 600V 60A (Tc) 130mOhm @ 28A, 10V 10V 5V @ 2.5mA 280nC @ 10V 11300pF @ 25V ±30V POWER MOS 8™
APT130SM70B MOSFET N-CH 700V TO247 Microsemi Corporation TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 556W (Tc) 700V 110A (Tc) 45mOhm @ 60A, 20V 20V 2.4V @ 1mA 220nC @ 20V 3950pF @ 700V +25V, -10V
PMV170UN,215 MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB NXP USA Inc. TO-236AB (SOT23) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 325mW (Ta), 1.14W (Tc) 20V 1A (Ta) 165mOhm @ 1A, 4.5V 1.8V, 4.5V 1V @ 250µA 1.65nC @ 4.5V 83pF @ 10V ±8V
FDWS9508L-F085 PMOS PWR56 40V 4.9 MOHM onsemi 8-PQFN (5x6) Surface Mount 8-PowerTDFN MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) P-Channel 214W (Tj) 40V 80A (Tc) 4.9mOhm @ 80A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 107nC @ 10V 4840pF @ 20V ±16V Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDC697P_F077 MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6 onsemi SuperSOT™-6 FLMP Surface Mount 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 2W (Ta) 20V 8A (Ta) 20mOhm @ 8A, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V @ 250µA 55nC @ 4.5V 3524pF @ 10V ±8V PowerTrench®
NTQD4154ZR2 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP onsemi 8-TSSOP 1.52W Surface Mount 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) -55°C ~ 150°C (TJ) 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A Logic Level Gate 19mOhm @ 7.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 21.5nC @ 4.5V 1485pF @ 16V
FQPF7N65C MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F onsemi TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 52W (Tc) 650V 7A (Tc) 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 36nC @ 10V 1245pF @ 25V ±30V QFET®
FQPF4N25 MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F onsemi TO-220F Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 32W (Tc) 250V 2.8A (Tc) 1.75Ohm @ 1.4A, 10V 10V 5V @ 250µA 5.6nC @ 10V 200pF @ 25V ±30V QFET®
3SK318YB-TL-E TRANS N-CH CMPAK-4 Renesas Electronics America Inc CMPAK-4 6V SC-82A, SOT-343 N-Channel Dual Gate 21dB 1.4dB 3.5V 10mA
NTD5862N-1G N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC DPAK Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 115W (Tc) 60V 98A (Tc) 5.7mOhm @ 45A, 10V 10V 4V @ 250µA 82nC @ 10V 6pF @ 25V ±20V
STW69N65M5 MOSFET N-CH 650V 58A TO-247 STMicroelectronics TO-247 Through Hole TO-247-3 MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) N-Channel 330W (Tc) 650V 58A (Tc) 45mOhm @ 29A, 10V 10V 5V @ 250µA 143nC @ 10V 6420pF @ 100V ±25V MDmesh™ V
SI3457BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP Vishay Siliconix 6-TSOP Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 1.14W (Ta) 30V 3.7A (Ta) 54mOhm @ 5A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 19nC @ 10V ±20V TrenchFET®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.