• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7734
  • IRFI4212H-117PXKMA1
    MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-220-5 Full-Pak
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
    • Мощность - Макс.: 18W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA082201FV4R250XTMA1
    IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SPP24N60C3HKSA1
    MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24.3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15.4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 240W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSP316PE6327
    MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: SIPMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: PG-SOT223-4
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 170µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6794MTR1PBF
    MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
    • Тип корпуса: DIRECTFET™ MX
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4420pF @ 13V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFB4020PBF
    MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFU3704ZPBF
    MOSFET N-CH 20V 60A I-PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: IPAK (TO-251)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 48W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLR3105TRLPBF
    MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 57W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH5304TR2PBF
    MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-PQFN (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPP80N06S2H5AKSA2
    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 230µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF5020WH6327XTSA1
    MOSFET N-CH 8V 25MA SOT343
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 8V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 1.2dB
    • Номинальный ток: 25mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPD60R2K1CEAUMA1
    MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™ CE
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 38W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7805ATR
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF540NSTRRPBF
    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 130W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPW65R080CFDFKSA1
    MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5030pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 391W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100