Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies AG-EASY2BM-2
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-EASY2BM-2
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 60mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 800V
- Мощность - Макс.: 20mW (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-EASY2BM-2
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
- Мощность - Макс.: 20mW (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100