-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF8MR12W2M1B11BOMA1 | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 | Infineon Technologies | AG-EASY2BM-2 | 20mW (Tc) | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 150A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) | 5.55V @ 60mA | 372nC @ 15V | 11000pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| FF6MR12W2M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 200A | Infineon Technologies | AG-EASY2BM-2 | 20mW (Tc) | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 1200V (1.2kV) | 200A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 5.63mOhm @ 200A, 15V | 5.55V @ 80mA | 496nC @ 15V | 14700pF @ 800V | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100