Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies DIRECTFET SB
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
- Тип корпуса: DIRECTFET SB
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
- Тип корпуса: DIRECTFET SB
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
- Тип корпуса: DIRECTFET SB
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
- Тип корпуса: DIRECTFET SB
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100