• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
IRF7665S2TRPBF MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB Infineon Technologies DIRECTFET SB Surface Mount DirectFET™ Isometric SB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.4W (Ta), 30W (Tc) 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 62mOhm @ 8.9A, 10V 10V 5V @ 25µA 13nC @ 10V 515pF @ 25V ±20V
AUIRF7665S2TR MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 Infineon Technologies DIRECTFET SB Surface Mount DirectFET™ Isometric SB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.4W (Ta), 30W (Tc) 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 62mOhm @ 8.9A, 10V 10V 5V @ 25µA 13nC @ 10V 515pF @ 25V ±20V HEXFET®
IRF7665S2TR1PBF MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB Infineon Technologies DIRECTFET SB Surface Mount DirectFET™ Isometric SB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.4W (Ta), 30W (Tc) 100V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 62mOhm @ 8.9A, 10V 10V 5V @ 25µA 13nC @ 10V 515pF @ 25V ±20V
AUIRF7640S2TR MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 Infineon Technologies DIRECTFET SB Surface Mount DirectFET™ Isometric SB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.4W (Ta), 30W (Tc) 60V 5.8A (Ta), 21A (Tc) 36mOhm @ 13A, 10V 10V 5V @ 25µA 11nC @ 10V 450pF @ 25V ±20V HEXFET®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100