Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies AG-62MM

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • FF2MR12KM1HOSA1
    MEDIUM POWER 62MM
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-62MM
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF6MR12KM1BOSA1
    MEDIUM POWER 62MM
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-62MM
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF3MR12KM1PHOSA1
    MEDIUM POWER 62MM
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-62MM
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 375A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1000nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 29800pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF2MR12KM1PHOSA1
    MEDIUM POWER 62MM
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-62MM
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.13mOhm @ 500A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.15V @ 224mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1340nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 39700pF @ 800V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF6MR12KM1PHOSA1
    MEDIUM POWER 62MM
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-62MM
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100