-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF2MR12KM1HOSA1 | MEDIUM POWER 62MM | Infineon Technologies | AG-62MM | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 500A (Tc) | Standard | 2.13mOhm @ 500A, 15V | 5.15V @ 224mA | 1340nC @ 15V | 39700pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| FF6MR12KM1BOSA1 | MEDIUM POWER 62MM | Infineon Technologies | AG-62MM | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 250A (Tc) | Standard | 5.81mOhm @ 250A, 15V | 5.15V @ 80mA | 496nC @ 15V | 14700pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| FF3MR12KM1PHOSA1 | MEDIUM POWER 62MM | Infineon Technologies | AG-62MM | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 375A (Tc) | Standard | 2.83mOhm @ 375A, 15V | 5.15V @ 168mA | 1000nC @ 15V | 29800pF @ 25V | CoolSiC™+ |
| FF2MR12KM1PHOSA1 | MEDIUM POWER 62MM | Infineon Technologies | AG-62MM | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 500A (Tc) | Standard | 2.13mOhm @ 500A, 15V | 5.15V @ 224mA | 1340nC @ 15V | 39700pF @ 800V | CoolSiC™+ |
| FF6MR12KM1PHOSA1 | MEDIUM POWER 62MM | Infineon Technologies | AG-62MM | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 250A (Tc) | Silicon Carbide (SiC) | 5.81mOhm @ 250A, 15V | 5.15V @ 80mA | 496nC @ 15V | 14700pF @ 800V | CoolSiC™+ |
- 10
- 15
- 50
- 100