Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 8-ThinPak (5x6)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • IPL60R650P6SATMA1
    MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™ P6
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-ThinPak (5x6)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 557pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 56.8W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPL60R360P6SATMA1
    MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™ P6
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-ThinPak (5x6)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 89.3W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100