-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPL60R650P6SATMA1 | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | Infineon Technologies | 8-ThinPak (5x6) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 56.8W (Tc) | 600V | 6.7A (Tc) | 650mOhm @ 2.4A, 10V | 10V | 4.5V @ 200µA | 12nC @ 10V | 557pF @ 100V | ±20V | CoolMOS™ P6 |
| IPL60R360P6SATMA1 | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | Infineon Technologies | 8-ThinPak (5x6) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 89.3W (Tc) | 600V | 11.3A (Tc) | 360mOhm @ 4.5A, 10V | 10V | 4.5V @ 370µA | 22nC @ 10V | 1010pF @ 100V | ±20V | CoolMOS™ P6 |
- 10
- 15
- 50
- 100