Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies DirectFET™ Isometric ME

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • IRF7780MTRPBF
    MOSFET N-CH 75V 89A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип корпуса: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 53A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6504pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 96W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF60DM206
    MOSFET N-CH 60V 130A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип корпуса: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6530pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 96W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7480MTRPBF
    MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип корпуса: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6680pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 96W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRL7486MTRPBF
    MOSFET N-CH 40V 209A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип корпуса: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 123A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 111nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6904pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7580MTRPBF
    MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип корпуса: DirectFET™ Isometric ME
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6510pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 115W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100