Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 32-PQFN (6x6)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 32-PowerWFQFN
- Тип корпуса: 32-PQFN (6x6)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: FASTIRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 32-PowerWFQFN
- Тип корпуса: 32-PQFN (6x6)
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 86A, 303A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V
- Мощность - Макс.: 156W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100