-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3575DTRPBF | MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN | Infineon Technologies | 32-PQFN (6x6) | Surface Mount | 32-PowerWFQFN | 2 N-Channel (Dual) | 25V | 303A (Tc) | Standard | |||||||
| IRFHE4250DTRPBF | MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN | Infineon Technologies | 32-PQFN (6x6) | 156W | Surface Mount | 32-PowerWFQFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 25V | 86A, 303A | Logic Level Gate | 2.75mOhm @ 27A, 10V | 2.1V @ 35µA | 20nC @ 4.5V | 1735pF @ 13V | FASTIRFET™ |
- 10
- 15
- 50
- 100