Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies AG-HYBRIDD-2
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HybridPACK™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-HYBRIDD-2
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HybridPACK™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-HYBRIDD-2
- Тип полевого транзистора: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 240mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1320nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 42.6nF @ 600V
- Мощность - Макс.: 20mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HybridPACK™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-HYBRIDD-2
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 240mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1320nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 42.5nF @ 600V
- Мощность - Макс.: 20mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HybridPACK™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: AG-HYBRIDD-2
- Тип полевого транзистора: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.55V @ 240mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1320nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 42.5nF @ 600V
- Мощность - Макс.: 20mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100