-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS05MR12A6MA1BBPSA1 | HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD | Infineon Technologies | AG-HYBRIDD-2 | Chassis Mount | Module | 1200V (1.2kV) | 200A | Silicon Carbide (SiC) | HybridPACK™ | |||||||
FS03MR12A6MA1LB | POWER MODULE | Infineon Technologies | AG-HYBRIDD-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 1200V (1.2kV) | 400A | Silicon Carbide (SiC) | 3.7mOhm @ 400A, 15V | 5.55V @ 240mA | 1320nC @ 15V | 42.6nF @ 600V | HybridPACK™ |
FS03MR12A6MA1B | HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD | Infineon Technologies | AG-HYBRIDD-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 1200V (1.2kV) | 400A (Tj) | Silicon Carbide (SiC) | 3.7mOhm @ 400A, 15V | 5.55V @ 240mA | 1320nC @ 15V | 42.5nF @ 600V | HybridPACK™ | |
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD | Infineon Technologies | AG-HYBRIDD-2 | 20mW | Chassis Mount | Module | -40°C ~ 150°C (TJ) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 1200V (1.2kV) | 400A | Silicon Carbide (SiC) | 3.7mOhm @ 400A, 15V | 5.55V @ 240mA | 1320nC @ 15V | 42.5nF @ 600V | HybridPACK™ |
- 10
- 15
- 50
- 100