Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies DIRECTFET L6

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
  • AUIRF7737L2TR
    MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 134nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5469pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6718L2TRPBF
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 13V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7748L1TRPBF
    MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8075pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6718L2TR1PBF
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 270A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 61A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 13V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.3W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7738L2TRPBF
    MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 184A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 194nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7471pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7737L2TRPBF
    MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 94A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 134nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5469pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.3W (Ta), 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRF7738L2TR
    MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric L6
    • Тип корпуса: DIRECTFET L6
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 130A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 109A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 194nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7471pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100