• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
AUIRF7737L2TR MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.3W (Ta), 83W (Tc) 40V 31A (Ta), 156A (Tc) 1.9mOhm @ 94A, 10V 10V 4V @ 150µA 134nC @ 10V 5469pF @ 25V ±20V HEXFET®
IRF6718L2TRPBF MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 4.3W (Ta), 83W (Tc) 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7mOhm @ 61A, 10V 4.5V, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V ±20V HEXFET®
IRF7748L1TRPBF MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFETL6 Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.3W (Ta), 94W (Tc) 60V 28A (Ta), 148A (Tc) 2.2mOhm @ 89A, 10V 10V 4V @ 250µA 220nC @ 10V 8075pF @ 50V ±20V
IRF6718L2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6 Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 4.3W (Ta), 83W (Tc) 25V 61A (Ta), 270A (Tc) 0.7mOhm @ 61A, 10V 4.5V, 10V 2.35V @ 150µA 96nC @ 4.5V 6500pF @ 13V ±20V HEXFET®
IRF7738L2TRPBF MOSFET N-CH 40V 35A DIRECTFET Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.3W (Ta), 94W (Tc) 40V 35A (Ta), 184A (Tc) 1.6mOhm @ 109A, 10V 10V 4V @ 250µA 194nC @ 10V 7471pF @ 25V ±20V
IRF7737L2TRPBF MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.3W (Ta), 83W (Tc) 40V 31A (Ta), 156A (Tc) 1.9mOhm @ 94A, 10V 10V 4V @ 150µA 134nC @ 10V 5469pF @ 25V ±20V
AUIRF7738L2TR MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET Infineon Technologies DIRECTFET L6 Surface Mount DirectFET™ Isometric L6 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.3W (Ta), 94W (Tc) 40V 35A (Ta), 130A (Tc) 1.6mOhm @ 109A, 10V 10V 4V @ 250µA 194nC @ 10V 7471pF @ 25V ±20V HEXFET®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100