Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 6-TSOP

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 16
  • IRF5810TR
    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5851TRPBF
    MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5850
    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLTS2242TRPBF
    MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 905pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLTS6342TRPBF
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1010pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5852TR
    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5850TRPBF
    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5852TRPBF
    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5852
    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5810
    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5851TR
    MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5851
    MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.7A, 2.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5810TRPBF
    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 16V
    • Мощность - Макс.: 960mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFTS9342TRPBF
    MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFTS8342TRPBF
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100