Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 14-SOIC
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: FETKY™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 10A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 2W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100