Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 8-uSMD

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • IRF7524D1GTRPBF
    MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: FETKY™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: 8-uSMD
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.25W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100