• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7734
  • IPA075N15N3GXKSA1
    MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: PG-TO220-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 270µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7280pF @ 75V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 39W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFS7730TRLPBF
    MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13660pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 375W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPP50R299CPHKSA1
    MOSFET N-CH 550V TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 550V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLL2703TR
    MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRLSL3036
    MOSFET N-CH 60V 270A TO262
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: TO-262
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11210pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 380W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6722MTR1PBF
    MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
    • Тип корпуса: DIRECTFET™ MP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB039N04LGATMA1
    MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 45µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 94W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF3415S
    MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPP60R099C6XKSA1
    MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 119nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2660pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 278W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS84PL6433HTMA1
    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: SIPMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 20µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPB80N08S406ATMA1
    MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-3-2
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 90µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF9520NSPBF
    MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SPP42N03S2L-13
    MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 21A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 37µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSP135H6906XTSA1
    MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: SIPMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: PG-SOT223-4
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 94µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRFB3806
    MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 71W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100