• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7734
  • IRFZ48VSTRLPBF
    MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1985pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPL65R070C7AUMA1
    MOSFET N-CH 4VSON
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™ C7
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-PowerTSFN
    • Тип корпуса: PG-VSON-4
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 850µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 169W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFR5305CPBF
    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 110W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFZ46ZPBF
    MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1460pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 82W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFR7440TRPBF
    MOSFET N CH 40V 90A DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-PAK (TO-252AA)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 134nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4610pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 140W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS159NL6327HTSA1
    MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: SIPMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRLR3303TRL
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 68W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF5802TRPBF
    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: Micro6™(TSOP-6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPP075N15N3GHKSA1
    MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 270µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5470pF @ 75V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSO150N03
    MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: PG-DSO-8
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.4W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPT004N03LATMA1
    MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSFN
    • Тип корпуса: PG-HSOF-8-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 163nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSC0910NDIATMA1
    MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PG-TISON-8
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    • FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A, 31A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF3805LPBF
    MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: TO-262
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7960pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF3707ZPBF
    MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 21A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1210pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 57W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPA60R180P7XKSA1
    MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolMOS™ P7
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: PG-TO220 Full Pack
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 280µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1081pF @ 400V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 26W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100