• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
ZTX651STOA TRANS NPN 60V 2A E-LINE Diodes Incorporated E-Line-3, Formed Leads 2A 60V 1W Through Hole NPN -55°C ~ 200°C (TJ) E-Line (TO-92 compatible) 500mV @ 200mA, 2A 100nA (ICBO) 175MHz
LS352 SOIC 8L TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL Linear Integrated Systems, Inc. 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 10mA 60V 500mW Surface Mount 2 PNP (Dual) 150°C (TJ) 8-SOIC 500mV @ 100µA, 1mA 200pA (ICBO) 200 @ 1mA, 5V 200MHz
2N3440L TRANS NPN 250V 1A TO5 Microchip Technology TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 1A 250V 800mW Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-5 500mV @ 4mA, 50mA 2µA 40 @ 20mA, 10V
2C5001 POWER BJT Microchip Technology
2N5327 POWER BJT Microchip Technology
PBSS4160T,215 TRANS NPN 60V 1A TO236AB Nexperia USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1A 60V 400mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) TO-236AB 250mV @ 100mA, 1A 100nA 200 @ 500mA, 5V 220MHz
NMBT3904235 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR NXP USA Inc.
MJD32C1 TRANSISTOR onsemi
2N5401TA TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 600mA 150V 625mW Through Hole PNP -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 500mV @ 5mA, 50mA 50nA (ICBO) 60 @ 10mA, 5V 400MHz
NSS20101JT1G TRANS NPN 20V 1A SC89-3 onsemi SC-89, SOT-490 1A 20V 300mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SC-89-3 220mV @ 100mA, 1A 100nA (ICBO) 200 @ 100mA, 2V 350MHz
PN3569 TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mA 40V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 250mV @ 15mA, 150mA 50nA (ICBO) 100 @ 150mA, 1V
BC850C-AU_R1_000A1 TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 Panjit International Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100mA 45V 330mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23 600mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 420 @ 2mA, 5V
BD14010S POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Rochester Electronics, LLC TO-225AA, TO-126-3 1.5A 80V 1.25W Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-126-3 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 63 @ 150mA, 2V
D9360-T-AZ 2SD9360 BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
2SA1020A,NSEIKIF(J TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Toshiba Semiconductor and Storage TO-226-3, TO-92-3 Long Body 2A 50V 900mW Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-92MOD 500mV @ 50mA, 1A 1µA (ICBO) 70 @ 500mA, 2V 100MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.