Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 1.47W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • DXTN3C100PD-13
    PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PowerDI5060-8 (Type UXD)
    • Мощность - Макс.: 1.47W
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 500mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 130MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ULN2004APG,C,N
    IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16DIP
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 16-DIP
    • Мощность - Макс.: 1.47W
    • Тип транзистора: 7 NPN Darlington
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 350mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
    • Обратный ток коллектора: 50µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ULN2803APG,CN
    TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 18-DIP
    • Мощность - Макс.: 1.47W
    • Тип транзистора: 8 NPN Darlington
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 350mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DXTC3C100PD-13
    SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PowerDI5060-8 (Type UXD)
    • Мощность - Макс.: 1.47W
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A, 325mV @ 200mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 130MHz, 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100