Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT)

  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • MJ11022G
    TRANS NPN DARL 250V 15A TO204
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 175W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 400 @ 10A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSD1406YTU
    TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Мощность - Макс.: 25W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
    • Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
    • Граничная частота: 3MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC560CG
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 380 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC32725TAR
    TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MJD243T4
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 12.5W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 4A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 200mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
    • Граничная частота: 40MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5552-1
    TRANS 80V 10A TO5
    General Semiconductor
    • Производитель: General Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 15W
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1508R
    PNP SILICON TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCM847DS/DG/B2 115
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPSA42,126
    TRANS NPN 300V 0.1A TO92-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCW60CE6327
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDP947E6327
    GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPS2907AG
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NZT749
    TRANS PNP 25V 4A SOT223-4
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-4
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 4A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 75MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ULN2067B
    TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -20°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: 16-PowerDIP (20x7.10)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: 4 NPN Darlington (Quad)
    • Ток коллектора (макс): 1.75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC80725E6327HTSA1
    TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 330mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.