• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
NZT749 TRANS PNP 25V 4A SOT223-4 Fairchild Semiconductor TO-261-4, TO-261AA 4A 25V 1.2W Surface Mount PNP -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-223-4 300mV @ 100mA, 1A 100nA (ICBO) 80 @ 1A, 2V 75MHz
2N5552-1 TRANS 80V 10A TO5 General Semiconductor TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 10A 80V 15W Through Hole TO-5 500mV @ 500mA, 5A 50 @ 5A, 2V 30MHz
BC80725E6327HTSA1 TRANS PNP 45V 0.5A SOT23 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mA 45V 330mW Surface Mount PNP 150°C (TJ) PG-SOT23 700mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 160 @ 100mA, 1V 200MHz
MPSA42,126 TRANS NPN 300V 0.1A TO92-3 NXP USA Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 100mA 300V 500mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 500mV @ 2mA, 20mA 100nA (ICBO) 40 @ 30mA, 10V 50MHz
MJ11022G TRANS NPN DARL 250V 15A TO204 onsemi TO-204AA, TO-3 15A 250V 175W Through Hole NPN - Darlington -65°C ~ 200°C (TJ) TO-204 (TO-3) 3.4V @ 150mA, 15A 1mA 400 @ 10A, 5V
BC32725TAR TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 800mA 45V 625mW Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-92-3 700mV @ 50mA, 500mA 100nA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
KSD1406YTU TRANS NPN 60V 3A TO220F-3 onsemi TO-220-3 Full Pack 3A 60V 25W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-220F-3 1V @ 300mA, 3A 100µA (ICBO) 100 @ 500mA, 5V 3MHz
MPS2907AG SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600mA 60V 625mW Through Hole PNP -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 1.6V @ 50mA, 500mA 10nA (ICBO) 100 @ 150mA, 10V 200MHz
BC560CG SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 100mA 45V 625mW Through Hole PNP -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 250mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 380 @ 2mA, 5V 250MHz
MJD243T4 POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN Rochester Electronics, LLC TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 4A 100V 12.5W Surface Mount NPN -65°C ~ 150°C (TJ) DPAK 300mV @ 50mA, 500mA 40 @ 200mA, 1V 40MHz
2SB1508R PNP SILICON TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
BCM847DS/DG/B2 115 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
BCW60CE6327 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
BDP947E6327 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
ULN2067B TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP STMicroelectronics 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) 1.75A 80V 1W Through Hole 4 NPN Darlington (Quad) -20°C ~ 85°C (TA) 16-PowerDIP (20x7.10) 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.