• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • JANTXV2N3506U4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ZTX953STZ
    TRANS PNP 100V 3.5A E-LINE
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
    • Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 3.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 400mA, 4A
    • Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
    • Граничная частота: 125MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP69-25-TP
    TRANS PNP 20V 1A SOT223
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 140 @ 10mA, 1.8V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 40MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PEMD2,315
    NEXPERIA PEMD2 - SMALL SIGNAL BI
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N1479
    TRANS NPN 40V 1.5A TO5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1.5A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 200mA, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 20mA, 200mA
    • Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PBSS8110AS,126
    TRANS NPN 100V 1A TO92-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 830mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 250mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN2222AG
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC3330T-AC
    BIP NPN 0.2A 50V
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FCX705TA
    TRANS PNP DARL 120V 1A SOT89-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89-3
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 3000 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A
    • Обратный ток коллектора: 10µA
    • Граничная частота: 160MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC184_J35Z
    TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 130 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N4854U/TR
    TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/421
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 6-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 6-SMD
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD1692-AZ
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD2620J0L
    TRANS NPN 100V 0.02A SSMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: SSMini3-F1
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 400 @ 2mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPSA77RLRA
    TRANS PNP DARL 60V 0.5A TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 10000 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3442
    TRANS NPN 140V 10A TO3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/370
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3 (TO-204AA)
    • Мощность - Макс.: 6W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 3A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.