• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
FJV92MTF TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3 Fairchild Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mA 350V Surface Mount PNP SOT-23-3 500mV @ 2mA, 20mA 250nA (ICBO) 40 @ 10mA, 10V 50MHz
KST5087MTF-FS TRANS PNP 50V 0.05A SOT23 Fairchild Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50mA 50V 350mW Surface Mount PNP SOT-23 300mV @ 1mA, 10mA 50nA (ICBO) 250 @ 10mA, 5V 40MHz
BC 847B B5003 TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 Infineon Technologies TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 100mA 45V 330mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT23 600mV @ 5mA, 100mA 15nA (ICBO) 200 @ 2mA, 5V 250MHz
JAN2N2604UB/TR TRANS PNP 60V 0.03A UB Microchip Technology 4-SMD, No Lead 30mA 60V 400mW Surface Mount PNP -65°C ~ 200°C (TJ) UB 300mV @ 500µA, 10mA 10nA 60 @ 500µA, 5V Military, MIL-PRF-19500/354
JANTXV2N3506AU4 TRANS NPN 40V 1UA U4 Microchip Technology 3-SMD, No Lead 1 µA 40V 1W Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) U4 1.5V @ 250mA, 2.5A 1µA 50 @ 500mA, 1V Military, MIL-PRF-19500/349
JANSR2N4449 RH SMALL-SIGNAL BJT Microchip Technology
JANTXV2N3019S TRANS NPN 80V 1A Microsemi Corporation TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 1A 80V 800mW Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-39 500mV @ 50mA, 500mA 10nA 50 @ 500mA, 10V Military, MIL-PRF-19500/391
2N3791 TO-3 Microsemi Corporation
BCP54-16,115 TRANS NPN 45V 1A SOT223 Nexperia USA Inc. TO-261-4, TO-261AA 1A 45V 960mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-223 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 100 @ 150mA, 2V 180MHz
PDTD113ZU135 PDTD113ZU - 0.5A, 50V, NPN Nexperia USA Inc.
CPH3205-TL-E TRANS NPN 50V 3A CPH3 onsemi
2N6292G TRANS NPN 70V 7A TO220 onsemi TO-220-3 7A 70V 40W Through Hole NPN -65°C ~ 150°C (TJ) TO-220 3.5V @ 3A, 7A 1mA 30 @ 2A, 4V 4MHz
PN3569_D26Z TRANS NPN 40V 0.5A TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 500mA 40V 625mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 250mV @ 15mA, 150mA 50nA (ICBO) 100 @ 150mA, 1V
NSBA124EDXV6T5 SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR onsemi
2SC13830S TRANS NPN 25V 1A TO92L-A1 Panasonic Electronic Components TO-226-3, TO-92-3 Long Body 1A 25V 1W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92L-A1 400mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 170 @ 500mA, 10V 200MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.