• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28685
  • BD645-S
    TRANS NPN DARL 60V 8A TO220
    Bourns Inc.
    • Производитель: Bourns Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 8A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 750 @ 3A, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 50mA, 5A
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSD1616GBU
    TRANS NPN 50V 1A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 750mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 160MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCX68-16E6327
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3490
    POWER BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSD261CYBU
    TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BC558CRL1
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KST64MTF
    TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: PNP - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 125MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N4036L
    SMALL-SIGNAL BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPS5172G
    TRANS NPN 25V 0.1A TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PBSS303ND,115
    TRANS NPN 60V 1A 6TSOP
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: 6-TSOP
    • Мощность - Макс.: 1.1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 345 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 515mV @ 600mA, 6A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 140MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MJ15025G
    TRANS PNP 250V 16A TO204
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 16A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    • Граничная частота: 4MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3501
    TRANS NPN 150V 0.3A TO-39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N6989
    TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/559
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    • Тип корпуса: TO-116
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: 4 NPN (Quad)
    • Ток коллектора (макс): 800mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3501U4/TR
    SMALL-SIGNAL BJT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KTC3199-BL-AP
    TRANS NPN 50V 0.15A TO92S
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92S
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 2mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 80MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Биполярный транзистор (BJT) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, состоящий из двух pn-переходов, которые способны усиливать сигнал.

Термин биполярный подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков: дырок и электронов.

Это устройство с токовым управлением. Три клеммы биполярного транзистора — это база, коллектор и эмиттер. Сигнал небольшой амплитуды, поданный на базу, в усиленном виде поступает на коллектор транзистор. Это усиление обеспечивается физической структурой pn-переходов, технологически сформированных заданным образом. Для осуществления процесса усиления обязательно требуется внешний источник питания постоянного тока.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic (Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic) — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - это напряжение, ниже которого изменени тока базы не оказывает влияния на ток коллектора (режим насыщения). Измерение проводится с указанными значениями IC и IB.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.